MJD112G - IC配单

详细信息

产品种类：达林顿晶体管

配置：Single

晶体管极性：NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V

发射极 - 基极电压 VEBO：5 V

集电极—基极电压 VCBO：100 V

最大直流电集电极电流：2 A

最大集电极截止电流：20 uA

功率耗散：20 W

最大工作温度：+ 150 C

安装风格：SMD/SMT

封装 / 箱体：TO-252-3

(DPAK)封装：Tube

商标：ON Semiconductor

集电极连续电流：2 A

直流集电极/Base Gain hfe Min：1000

最小工作温度：- 65 C

工厂包装数量：75

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