NCE60R041T - IC配单

起订量价格 1-49 ￥29.00 50-99 ￥26.00 100-499 ￥24.00 500以上￥23.50

详细信息

N沟道增强型场效应管NCE60R041T Vds=650V Ids=75A RDS(ON)<41mΩ @ VGS=10V,TO-247

NCE60R041T是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET，采用先进的沟漕道工艺制做，导通阻低RDS(ON) ，开关速度快，低开启电压Vgs，带ESD保护，稳定性好，具有很高的EAS均匀性。该MOSFET有着广泛的应用。

产品应用：

品名	N沟道MOSFET NCE60R041T
型号	NCE60R041T
丝印标识	NCE60R041T
品牌	新洁能
封装	TO-247
器件结构	沟槽工艺
晶体管类型	单通道
晶体管极性	N管
通道模式	增强型
栅极-源极电压 Vgs	±30V
N沟道接通延迟时间(nS)	31.00
N沟道接通上升时间(nS)	20.00
N沟道关断延迟时间(nS)	100.00
N沟道关断下降时间(nS)	10.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is	0.9V @ 40A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C	730nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C	26uC
最高环境工作温度	150℃
最低环境工作温度	-55℃
最小包装数量	30
包装方法	管装
生产状态	研发中
工程技术	MOSFET作用：1.场效应管应用于放大电路； 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换； 3.用作可变电阻； 4.用作恒流源；5.用作电子开关。, MOSFET特点： 1.场效应管是电压控制器件，通过VGS来控制ID；2.场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电，温度稳定性较好； 4.场效应管的抗辐射能力强； 5.场效应管的噪声系数很小。

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