IRF640S - IC配单

详细信息

标准包装 50

FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点 Standard

漏极至源极电压（VDSS） 200V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C 18A

Rds（最大）@ ID，VGS 180 mOhm @ 11A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id 4V @ 250μA

栅极电荷（Qg）@ VGS 70nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的 1300pF @ 25V

功率 - 最大 130W

安装类型 Surface Mount

包/盒 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装 D2PAK

包装材料 Tube

单位包 0

最小起订量 1

FET特点 Standard

封装 Tube

安装类型 Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 18A (Tc)

的Vgs（th ）（最大）@ Id 4V @ 250μA

封装/外壳 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商设备封装 D2PAK

开态Rds（最大）@ Id ，V GS 180 mOhm @ 11A, 10V

FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大 130W

标准包装 50

漏极至源极电压（Vdss） 200V

输入电容（Ciss ） @ VDS 1300pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS 70nC @ 10V

RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant

1：由于型号种类繁多，价格时有更新，请顾客一定要与我们沟通咨询后才可下单。

2：买家咨询的时候请务必说清楚（完整型号、封装、数量），以便我们及时报价。
3：买家无提前咨询而下单的，如果由于缺货或者涨价而导致无法发货的，我司不承担任何责任，一律作退款处理。
4：生产型企业可申请月结和货到付款。
5：千元以上免运费(特殊商品除外)。

6：报价不含任何销售税，计算含税价请*1.17。 

产品类别

ST(意法半导体)

ADI(亚德诺)

NXP(恩智浦)

MICROCHIP(美国微芯)

TI（德州仪器）

ATMEL(爱特梅尔)

STC(宏晶)

ON( 安森美 )

AOS( 美国万代 )

NCE（新洁能）

STC单片机

保险丝

SAMSUNG(三星)

电阻/电容

XILINX( 赛灵思 )

AD

晶体管

五金类/其他

工具/辅材

单片机

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