FGA90N33ATD【FAIRCHILD 品牌】哪家好?找亚泰盈科

详细信息

Rohs Lead free / RoHS Compliant

标准包装 30

IGBT 型 Trench

电压 - 集电极发射极击穿（最大） 330V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.4V @ 15V, 20A

- 集电极电流（Ic）（最大） 90A

功率 - 最大 223W

Input 型 Standard

安装类型 Through Hole

包/盒 TO-3P-3, SC-65-3

供应商器件封装 TO-3PN

包装材料 Tube

供应商封装形式 TO-3P(N)

最大栅极发射极电压 ±30

最大连续集电极电流 90

欧盟RoHS指令 Compliant

最高工作温度 150

标准包装名称 TO-3P(N)

渠道类型 N

封装 Tube

最大集电极发射极电压 330

最大功率耗散 223000

最低工作温度 -55

引脚数 3

铅形状 Through Hole

栅极电荷 95nC

电流 - 集电极（ Ic）（最大） 90A

安装类型 Through Hole

标准包装 30

时间Td（开/关） @ 25°C 23ns/100ns

Vce（开）（最大值） Vge，Ic时 1.4V @ 15V, 20A

电压 - 集电极发射极击穿（最大） 330V

供应商设备封装 TO-3PN

反向恢复时间（trr ） 23ns

功率 - 最大 223W

输入类型 Standard

封装/外壳 TO-3P-3, SC-65-3

IGBT类型 Trench

测试条件 200V, 20A, 5 Ohm, 15V

电流 - 集电极脉冲（ ICM ） 330A

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

集电极电流（ DC）（最大值） 90 A

集电极 - 发射极电压 330 V

安装 Through Hole

包装类型 TO-3PN

工作温度（最大） 150C

工作温度（最小值） -55C

工作温度分类 Military

配置 Single

Gate to Emitter Voltage (Max) 30 V

弧度硬化 No

集电极电流（DC ） 90 A

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产品类别

ST(意法半导体)

ADI(亚德诺)

NXP(恩智浦)

MICROCHIP(美国微芯)

TI（德州仪器）

ATMEL(爱特梅尔)

STC(宏晶)

ON( 安森美 )

AOS( 美国万代 )

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电阻/电容

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AD

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